美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 用晶圆键合、 ζÅ 用 High NA EUV

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美光于当地时间10月22日举办了2026年度技术网络研讨会，讨论了DRAM、泛HBM、NAND及SSD的未来发展，本文重点介绍基础DRAM技术。

美光认为，经过二十多年的技术探索，4F² DRAM因复杂度和成本上的不足，缺乏可行的规模化扩展路径。在传统2D 6F² DRAM面临尺寸收缩瓶颈的情况下，美光选择3D DRAM作为未来的发展方向。

根据IT之家了解，长鑫存储此前曾表示计划在年内推出4F²混合键合DDR5 RDIMM，同时有消息称三星电子在其首代亚10nm级DRAM上已放弃4F²路线。

美光的第7代10nm级DRAM节点1δ正处于良率爬坡阶段；第8代10nm级节点1ε引入了晶圆键合技术；第1代亚10nm级节点ζÅ已进入早期开发阶段，并采用High NA EUV光刻技术；第2代亚10nm级节点ηÅ正在进行技术探索，计划应用新材料。

美光表示，1δ工艺可实现约25%的代际存储密度提升，同时具备优化的成本。该技术将广泛用于HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR等产品。此外，开云娱乐官网关注到，美光还指出DRAM CMOS逻辑电路也将实现3D化，从而带来显著的性能改进。

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